快科技12月18日讯息，据韩国媒体报说念，三星电子正加速布局下一代DRAM本领，在第六代DRAM尚未量产之际，已入辖下手修复第七代（1d）DRAM的测试线。
报说念称，三星已在平泽P2厂建置10纳米级的第七代DRAM测试线，并预测来岁第一季度透顶建成，以培植良率并拉开与竞争敌手的本领差距。
这条被称为“单旅途线”的测试线，将用于测试新半导体家具的量产后劲，一朝下一代芯片性能在研发阶段笃定，就会在此引进晶圆，初始培植量产良率。
当今尚不笃定平泽10纳米级第七代DRAM厂房的限制，但频繁装配测试线每月可责罚约1万片晶圆。
三星规画在2026年前量产第七代DRAM，而其前身第六代（1c）DRAM规画来岁（2025年）量产，因此，第七代测试线与第六代DRAM量产的准备职责同步进行。
业界合计，三星在第六代DRAM还未干预量产阶段前就为第七代建置厂房，是为了来岁重夺上风的起步年所进行的投资。
三星HBM阛阓被第二大公司SK海力士夺走，10纳米级第六代内存的设备速率也落伍于敌手，为了夺回勾引地位，三星必须加速家具设备速率。
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